0755-86968649

工业DP2100

产品系列

DP2100

闪存颗粒

3D TLC NAND

接口协议

PCIe3.0 x 4,NVMe1.4

形态尺寸

M.2 2242,M.2 2280

容量

256 GB
512 GB1 TB2 TB

顺序读取(max)

3489 MB/s3490 MB/s3531 MB/s3461 MB/s

顺序写入(max)

1383 MB/s2589 MB/s3419 MB/s3416 MB/s

随机读取(max)

221000 IOPS391000 IOPS535000 IOPS446000 IOPS

随机写入(max)

324000 IOPS437000 IOPS446000 IOPS455000 IOPS

特性

支持RAID、 SRAM ECC,智能块管理技术,PLN/PLA,支持产品定制

工作温度

0℃~+70℃/-40 ℃~+85℃(可定制)

存储温度

-40 ℃~85℃/-55 ℃~+90℃(可定制

功耗

运行功耗<3.7W,空闲功耗<4mW

振动

非工作:20G,20~2000Hz

冲击

非工作:1500G,0.5ms,3axis

认证

RoHS、WEEE、REACH、CE

兼容性

Windows 7/8.1/10;主流Linux操作系统

应用

工业电脑、工业开发板、工业过程控制设备、服务器业务板卡、工业信息记录系统、光纤智能终端机等